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SIMS測(cè)試(北京)

SIMS測(cè)試(北京)

價(jià) 格:1500

儀器安裝地址:北京檢測(cè)中心

檢測(cè)能力:檢測(cè)周期正常,數(shù)據(jù)質(zhì)量正常

檢測(cè)周期:5 工作日

項(xiàng)目好評(píng)率:100.00%

平均完成周期:4 工作日

服務(wù)次數(shù):621 次

項(xiàng)目介紹

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜 IONTOF 5(德國(guó))

 

 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜 IONTOF.png

 

技術(shù)參數(shù)

 

20kV C60 脈沖濺射離子槍 
銫濺射離子槍 
氬氣/氧氣濺射離子槍 
GCIB團(tuán)簇離子槍 
樣品傳送管

應(yīng)用范圍

 

      飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術(shù),一束高能初級(jí)離子轟擊樣品表面激發(fā)出原子和分子碎片,一小部分激發(fā)出的粒子以離子的狀態(tài)離開(kāi)表面,被質(zhì)量分析器探測(cè)出來(lái),具有極高分辨率的測(cè)量技術(shù)。對(duì)于不同的材料,檢測(cè)的含量不同,對(duì)于無(wú)機(jī)材料, 原子離子百分含量> 10%,對(duì)于有機(jī)材料,原子和分子離子碎片百分含量可以從0.001% 到 1%,僅從表面2個(gè)分子層激發(fā)出的粒子可以以離子態(tài)離開(kāi)表面。

實(shí)際應(yīng)用    

表征分析                        
采集離子質(zhì)譜圖用于表面元素(原子離子),同位素,分子化學(xué)結(jié)構(gòu)(通過(guò)分子離子碎片)的表征                        
結(jié)構(gòu)分析                        
點(diǎn)或面掃描(2D成像)得到成分分布像,觀察不同成分在同一條線或面的分布情況。               
成分分析                        
深度剖析和3D成像可以分析不同的膜層結(jié)構(gòu)和成分深度分布信息:多層膜層結(jié)構(gòu)表征,成分摻雜深度,擴(kuò)散,吸附等表征                        

服務(wù)方信息

專(zhuān)屬客服

項(xiàng)目評(píng)價(jià)

檢測(cè)質(zhì)量:
5分
服務(wù)態(tài)度:
5分
檢測(cè)時(shí)效:
5分
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