織構及取向差分析
EBSD不僅能測量各取向在樣品中所占的比例,還能知道這些取向在顯微組織中的分布,這是織構分析的全新方法。EBSD可應用于取向關系測量的范例有:推斷第二相和基體間的取向關系、穿晶裂紋的結晶學分析、單晶體的完整性、微電子內連使用期間的可靠性、斷口面的結晶學、高溫超導體沿結晶方向的氧擴散、形變研究、薄膜材料晶粒生長方向測量。
晶粒尺寸及形狀的分析
傳統(tǒng)的晶粒尺寸測量依賴于顯微組織圖象中晶界的觀察。自從EBSD出現(xiàn)以來,并非所有晶界都能被常規(guī)浸蝕方法顯現(xiàn)這一事實已變得很清楚,特別是那些特殊晶界,如孿晶和小角晶界。因為其復雜性,嚴重孿晶顯微組織的晶粒尺寸測量就變得十分困難。由于晶粒主要被定義為均勻結晶學取向的單元,EBSD是作為晶粒尺寸測量的理想工具。最簡單的方法是進行橫穿試樣的線掃描,同時觀察花樣的變化。
晶界、亞晶及孿晶性質的分析
在得到EBSD整個掃描區(qū)域相鄰兩點之間的取向差信息后,可進行研究的界面有晶界、亞晶、相界、孿晶界、特殊界面(重合位置點陣CSL等)。